经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法及LED
基本信息
| 申请号 | CN202010241001.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111430512A | 公开（公告）日 | 2020-07-17 |
| 申请公布号 | CN111430512A | 申请公布日 | 2020-07-17 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/306;H01L33/22 | 分类 | - |
| 发明人 | 关永莉;米洪龙;徐小红;段少清;杨鑫;周王康;陕志芳;樊明明 | 申请（专利权）人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 041600 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法及LED，属于显示设备领域。本发明通过对扩膜处理后的LED芯片的侧壁和表面进行粗化处理，使得相对仅对表面进行粗化处理的方式，粗化后LED芯片的亮度提高了1～1.5倍；通过三种刻蚀液依次对LED芯片的侧壁和表面进行粗化处理，不仅能够在LED芯片的侧壁和表面形成非周期性的无规则图形，从而可以提高LED产品的亮度，而且使得粗化处理后LED芯片的表面呈中性，从而能够提高封装后产品的使用寿命。 |
