基于超晶格势垒量子阱结构的LED及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910235635.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109904289A | 公开（公告）日 | 2019-06-18 |
| 申请公布号 | CN109904289A | 申请公布日 | 2019-06-18 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I; B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 董海亮; 贾志刚; 关永莉; 梁建; 米洪龙; 许并社; 陈永寿; 陕志芳 | 申请（专利权）人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 031600 山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区飞虹微纳米光电科技有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种基于超晶格势垒量子阱结构的LED及其制备方法，属于半导体技术领域。包括：蓝宝石衬底；设于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；设于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；设于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；设于n型GaN层上面的量子阱区，量子阱区从下至上包括8～15周期的第一区域和3～10周期的第二区域，第一区域包括从下至上设的3～10周期的超晶格AlxInyGa1‑x‑yN/GaN势垒层和InGaN势阱层，第二区域包括3～10周期的AlxInyGa1‑x‑yN/GaN势垒层；设于第二区域上面的p型AlGaN电子阻挡层；设于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；设于p型GaN层上面的电极接触层。本发明实施例提高了电子和空穴的注入效率和增加对电子的束缚能力，减少了电子泄漏，使电子和空穴的辐射复合效率增加。 |
