砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器专利查询专利号|摘要-满商公司网

砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器

基本信息

申请号	CN201721223021.5	申请日	-
公开（公告）号	CN207801155U	公开（公告）日	2018-08-31
申请公布号	CN207801155U	申请公布日	2018-08-31
分类号	H01S5/343	分类	基本电气元件;
发明人	米洪龙;关永莉;陈宇星;王琳	申请（专利权）人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	041600 山西省临汾市甘亭工业园区山西飞虹科技集团有限公司
法律状态	-

摘要

本实用新型提供一种砷化镓激光器腔面及砷化镓激光器，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器腔面包括自下而上设置的腔面本体、阻挡层、钝化膜以及反射膜；阻挡层是由等离子体Ar+经过电场加速后轰击腔面本体，再由混合等离子体NH+经过电场加速后与腔面本体的表层发生化学反应形成的；等离子体Ar+是由高真空条件下、10‑30sccm流量的氩气在离子源的作用下形成的，其轰击腔面本体的时间为5‑20min；混合等离子体NH+是由10‑30sccm流量的氮气和氢气混合气体在离子源的作用下形成的；其与腔面本体表层发生化学反应的时间为5‑10min；钝化膜的厚度为5‑15nm，反射膜通过镀膜工艺镀制在钝化膜上；本实用新型可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证其在高功率条件下的工作稳定性，并延长寿命。