940nm红外LED的外延结构
基本信息
| 申请号 | CN202020705748.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212011015U | 公开（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申请公布号 | CN212011015U | 申请公布日 | 2020-11-24 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 米洪龙;杨杰;关永莉;杨鑫;周王康;申江涛;陕志芳;樊明明 | 申请（专利权）人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 041600山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种940nm红外LED的外延结构，属于显示设备领域。外延结构从下至上依次包括衬底1、衬底缓冲层2、下覆盖层3、下波导层4、第一有源层5、晶格缓冲层6、第二有源层7、上波导层8、电流限制层9、上覆盖层10、窗口层11和欧姆接触层12，所述下覆盖层3包括第一覆盖层3‑1和第二覆盖层3‑2。本实用新型能提高外延结构的晶格质量、提供高势垒电子、减少阱垒的失配效应、提高有源层阱的质量、提高器件的发光效率、提高电子‑空穴的复合率而提升器件的发光效率、使器件电流可以均匀分布、提高欧姆接触质量，因而可以多方位地提高基于该外延结构的940nm红外LED的光电转换效率。 |
