砷化镓激光巴条专利查询专利号|摘要-满商公司网

砷化镓激光巴条

基本信息

申请号	CN201721537440.6	申请日	-
公开（公告）号	CN207588214U	公开（公告）日	2018-07-06
申请公布号	CN207588214U	申请公布日	2018-07-06
分类号	H01S5/02	分类	基本电气元件;
发明人	董海亮;米洪龙;梁建;许并社;关永莉;贾志刚;王琳	申请（专利权）人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	041600 山西省临汾市甘亭工业园区山西飞虹科技集团有限公司
法律状态	-

摘要

本实用新型提供一种砷化镓激光巴条，属于半导体激光器领域。包括：由下至上依次包括GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、n‑AlGaAs限制层、n‑AlGaAs波导层、有源区层、p‑AlGaAs波导层、p‑AlGaAs限制层、p‑GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层的外延片；多个从p‑GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道；设于p‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于p型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的p电极层和GaAs衬底背面的n电极层；蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，硅薄膜为在温度为100～150℃条件下以的生长速度蒸镀后，对硅薄膜循环退火3‑5次形成的，循环退火时低温为100～150℃高温为400～500℃；蒸镀于硅薄膜外侧的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。本实用新型提高了激光器的抗光学灾变能力。