InGaN量子点发光二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910235749.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109802021A | 公开（公告）日 | 2019-05-24 |
| 申请公布号 | CN109802021A | 申请公布日 | 2019-05-24 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 董海亮; 贾志刚; 关永莉; 梁建; 米洪龙; 许并社; 杨鑫; 周王康 | 申请（专利权）人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 031600 山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区飞虹微纳米光电科技有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种InGaN量子点发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。包括蓝宝石衬底；设于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；设于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；设于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；设于n型GaN层上面的第一GaN势垒层；设于第一GaN势垒层上面的量子阱区，量子阱区包括5～15周期的量子阱层，每个量子阱层从下至上依次包括InGaN量子点层、非线性变速生长的量子点盖层和第二GaN势垒层；设于量子阱区上面的p型AlGaN电子阻挡层；设于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；设于p型GaN层上面的p++型GaN电极接触层。本发明能有效抑制量子点处In组分的偏析，减少界面位错的攀移，从而减少阱垒界面的位错密度，使量子点分布趋于均匀，实现高密度高性能InGaN量子点的制备。 |
