纳米材料制备的多层片式ZnO压敏电阻器及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

纳米材料制备的多层片式ZnO压敏电阻器及其制造方法

基本信息

申请号	CN200510017658.4	申请日	-
公开（公告）号	CN1694187A	公开（公告）日	2005-11-09
申请公布号	CN1694187A	申请公布日	2005-11-09
分类号	H01C7/112	分类	基本电气元件;
发明人	吕呈祥;王兰义;景志刚;杜辉;张金秀;王雅林;魏书周;郑慎飞	申请（专利权）人	河南金冠王码信息产业股份有限公司
代理机构	南阳市智博维创专利事务所	代理人	河南金冠王码信息产业股份有限公司
地址	473057河南省南阳市中州路966号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种纳米材料制备的多层片式ZnO压敏电阻器，一种纳米材料制备的ZnO瓷料和内电极层交错排布共同烧结而成，其主要特点是ZnO瓷料的主体材料的颗粒形貌为球形或近似球形，平均粒径为1～99nm的ZnO纳米粉体，加入3～8％(摩尔百分比)的颗粒形貌为球形或近似球形的纳米粉体添加剂，所述的内电极层是钯/银内电极层，其中钯的比例占钯/银内电极重量的11～25％，银的比例占钯/银内电极重量的75～89％，该ZnO瓷料和钯/银内电级层交错排布，并在950～1100℃的温度范围内烧结而成。本发明还公开了一种上述纳米材料制备的多层片式ZnO压敏电阻器的制造方法。本发明制备的1005规格的多层片式ZnO压敏电阻器的非线性系数α大于20，漏电流I_L小于2.0微安。