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一种增强型狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片

基本信息

申请号 CN201310181958.0 申请日 -
公开（公告）号 CN103245636A 公开（公告）日 2013-08-14
申请公布号 CN103245636A 申请公布日 2013-08-14
分类号 G01N21/45(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 王卓然;袁国慧;高亮 申请（专利权）人 天津瑞晟昱发激光科技有限公司
代理机构 成都宏顺专利代理事务所（普通合伙） 代理人 成都谱视科技有限公司;天津瑞晟昱发激光科技有限公司
地址 610041 四川省成都市成都高新区高朋大道5号1栋110室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的一种增强型狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，中心狭缝槽位于基体长度方向的中心轴线上，长度与基体所述中心轴线相等，增强狭缝槽对称分布与中心狭缝槽两边，方向与中心狭缝槽一致，所述增强狭缝槽位于所述光栅FP腔的两个光栅之间的区域。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响，同时引入狭缝光波导结构，使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间，其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度，光与物质相互作用更强，使检测灵敏度更高，检测难度进一步降低。