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一种高抗干扰性能的LDO

基本信息

申请号	CN202023179640.3	申请日	-
公开（公告）号	CN214623448U	公开（公告）日	2021-11-05
申请公布号	CN214623448U	申请公布日	2021-11-05
分类号	G05F1/56（2006.01）I	分类	控制；调节;
发明人	刘海军;安娜	申请（专利权）人	芯北电子科技（南京）有限公司
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	李琼
地址	211800江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢-411
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种高抗干扰性能的LDO，包括误差放大器、第一分压电阻、第二分压电阻、第一MOS管和第二MOS管。误差放大器的正向输入端与参考电压连接，负向输入端与第一分压电阻的一端和第二分压电阻的一端连接，输出端经由补偿网络与第二分压电阻的另一端连接。第一分压电阻的另一端接地。误差放大器的输出端还与第一MOS管的栅极相连。第一MOS的源极连接至输入电压，漏极连接至第二MOS的源极。第二MOS的栅极连接驱动电压信号，漏极连接至第二分压电阻的另一端口。LDO的输出端从第二分压电阻的另一端引出。本实用新型在主通路上多串联一个PMOS管，可以实现很高的抗干扰能力，而且不需要大幅增加LDO的开环增益以及带宽，以节省电路的电流和面积。