半导体器件用金铍合金材料及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN200910244557.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102115833A | 公开（公告）日 | 2011-07-06 |
| 申请公布号 | CN102115833A | 申请公布日 | 2011-07-06 |
| 分类号 | C22C5/02(2006.01)I;C22C1/03(2006.01)I;B22D11/16(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 陈怡兰;史秀梅 | 申请（专利权）人 | 北京农村商业银行股份有限公司四季青支行 |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱丽华 |
| 地址 | 100012 北京市朝阳区北苑路40号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件用金铍材料及其制备方法和应用，金铍合金成分组成及质量百分比：Be：1-5％，Au：余量。制备方法如下：按组分及质量百分比配比计算、称重备原材料；按金、铍半导体器件用顺序先后放入氧化铝坩埚中，再将坩埚放入半圆形的可密封石英玻璃罩内，并抽真空；使用电阻炉加热，升温使金、铍熔化，精练后停止加热；冷却至50℃以下，得到金铍中间合金；将得到的金铍中间合金再用相同的方法与金一起熔化、精练，得到含铍量较低的金铍合金；用该合金再与金经过熔炼、连铸、拉拔工序，得到键合金丝。其是制备优质隧道二极管的基础合金材料，应用于制备二元化合物半导体薄膜电路上的线路与电极；还可制备键合金丝，利于实现金与半导体间的欧姆接触。 |
