一种三维沟槽型高压SOI-LIGBT结构
基本信息
| 申请号 | CN202022964317.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213988865U | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN213988865U | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L23/12（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周炳;赵承杰;王源政 | 申请（专利权）人 | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 王丽 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港经济开发区（国泰北路1号留学生创业园） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种三维沟槽型高压SOI‑LIGBT结构，包括器件本体，器件本体的下端固定有挡板，挡板之间固定有螺纹杆，螺纹杆上滑动设置有杆套，杆套上固定有衔接块，衔接块上固定有底脚，底脚上设置有安装孔。通过底脚的移动，使得器件本体在固定时，可配合实际安装位置进行调整，同时，绕线柱能够对多余的导线进行缠绕，避免线路过长出现拉扯断线的情况，收紧帽能够对缠绕的导线进行包裹收紧。 |
