一种FRD芯片
基本信息
| 申请号 | CN202022964312.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213988893U | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN213988893U | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L29/868（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周炳;赵承杰;王源政 | 申请（专利权）人 | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 王丽 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港经济开发区（国泰北路1号留学生创业园） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种FRD芯片，包括阴极金属，阴极金属上设置有N+阴极层，N+阴极层上设置有N型基片，N型基片上设置有N‑外延层，N‑外延层上设置有I基片，I基片上设置有P基片，N‑外延层上设置有氧化层，氧化层上设置有与P基片接触的阳极金属。能够保证整个芯片的性能稳定，同时，提高运行速度，降低了集电极电阻，且使得芯片能承受更高的反向工作电压。 |
