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一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法

基本信息

申请号	CN201810767802.3	申请日	-
公开（公告）号	CN109065637A	公开（公告）日	2021-07-16
申请公布号	CN109065637A	申请公布日	2021-07-16
分类号	H01L29/872;H01L21/329	分类	基本电气元件;
发明人	周炳	申请（专利权）人	张家港意发功率半导体有限公司
代理机构	江苏致邦律师事务所	代理人	闫东伟
地址	215600 江苏省苏州市张家港经济开发区（国泰北路1号留学生创业园）
法律状态	-

摘要

一种沟槽肖特基势垒二极管，包括中部的有源区和环绕有源区的截止区，所述有源区自下而上依次设有N型衬底层、N型外延层、栅氧化层、肖特基金属层、阳极金属层、阴极金属层；所述N型外延层上设有若干沟槽和凸台，所述沟槽和凸台横向间隔设置，在凸台的栅氧化层和阳极金属层之间沉积有BPSG缓冲层，在沟槽内填充有磷掺杂导电多晶硅层，所述沟槽深度1.3μm，沟槽宽度0.5μm，沟槽间距1.5μm以及沟槽内氧化物的厚度1000Å。本发明通过控制沟槽的形状、沟槽深度、沟槽间有源区的宽度、沟槽内氧化层的厚度，得到了一种反向漏电低，电压反向阻断能力佳，可靠性好的沟槽肖特基势垒二极管。本发明还公开了一种沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，其步骤少，制造成本低。