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一种混合PIN/肖特基快恢复二极管的制备方法

基本信息

申请号	CN201810767803.8	申请日	-
公开（公告）号	CN109103094A	公开（公告）日	2021-07-16
申请公布号	CN109103094A	申请公布日	2021-07-16
分类号	H01L21/329	分类	基本电气元件;
发明人	周炳	申请（专利权）人	张家港意发功率半导体有限公司
代理机构	江苏致邦律师事务所	代理人	闫东伟
地址	215600 江苏省苏州市张家港经济开发区（国泰北路1号留学生创业园）
法律状态	-

摘要

本发明提供一种混合PIN/肖特基快恢复二极管的制备方法，在设计二极管耐压时根据二极管的击穿电压1300V，通过控制n基区的厚度为107μm，宽度为25μm，浓度为1×1014cm‑3，使二极管的反向击穿电压接近耐压指标，再通过控制P+区域肖特基接触区域的宽度为6.25μm，使二极管的反向击穿电压为要求的耐压值1300V，控制注入深度为5μm，宽度为25μm，浓度为2×1020cm‑3，形成n+区域，而且根据耗尽层主要在低掺杂一侧展宽，即在n基区扩展，P+区也要求较高的掺杂浓度，又根据器件导通时首先是肖特基区域导通，随着正向电压的逐渐增大才是PN结区域的导通对基区进行少子的注入，所以MPS二极管不像PIN二极管那样对区的要求要有高的掺杂浓度。