一种IGBT半导体器件的制作方法及IGBT半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202011524233.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112531021A | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN112531021A | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周炳;王源政;赵承杰 | 申请（专利权）人 | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 王丽 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种IGBT半导体器件的制作方法及IGBT半导体器件，所述方法包括：在正面镀铝后的IGBT芯片的上表面的非发射极区域形成光刻图形；在光刻图形上方蒸发金属层；去除非发射极区域上方的金属层；去除所述光刻图形。本发明在于IGBT发射极(E)表面蒸发金属银，可采用CLIP链接，实现IGBT发射极(E)焊接面积最大化，提升IGBT的正向浪涌能力，同时不改变栅极(G)金属结构。 |
