一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构
基本信息
| 申请号 | CN202022977172.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213988866U | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN213988866U | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L23/13（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周炳;赵承杰;王源政 | 申请（专利权）人 | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 王丽 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港经济开发区（国泰北路1号留学生创业园） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种二维沟槽型高压SOI‑LIGBT结构，包括衬底衬底的上端设有结构本体，结构本体的下端开设有凹槽，衬底的上端齿牙，齿牙的外侧插接于凹槽内，衬底的外壁设有弹性层，弹性层的外侧设有防腐层，防腐层的外侧设有耐磨层。该结构设有多个防护层可以对SOI‑LIGBT结构进行充分的保护；通过齿牙插入到凹槽中，在采用粘胶进行固定，使得衬底与结构本体之间的连接较为紧密。 |
