一种具有凹槽栅的增强型氮化镓异质结HEMT的刻蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN201811230221.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109390234B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN109390234B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L21/335（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I;CN 107591326 A,2018.01.16;US 8124505 B1,2012.02.28;CN 104201104 A,2014.12.10;US 2016020313 A1,2016.01.21;CN 104282548 A,2015.01.14 S. V. Mikhailovich, et al.Low-Energy Defectless Dry Etching of the AlGaN/AlN/GaN HEMT Barrier Layer.《Technical Physics Letters》.2018,第44卷（第5期）, | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周炳;陈雨雁 | 申请（专利权）人 | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 代理机构 | 常州智慧腾达专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹军 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港市杨舍镇乘航河东路80号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有凹槽栅的增强型氮化镓异质结HEMT的刻蚀方法。通过分别采用氧等离子体对帽层和多层外延层表面进行氧化，分别形成第一氧化层和第二氧化层，然后采用气体等离子体对第一氧化层和第二氧化层进行刻蚀。由于第二氧化层含有铝的氧化物，铝的氧化物较为致密，一定程度上降低了刻蚀速率，刻蚀损伤较小，从而获得较光滑的刻蚀表面，提高了刻蚀精度，每一个刻蚀循环都会完成固定的纳米级刻蚀深度，通过多次循环刻蚀可实现所要求的刻蚀精度和表面平整度，同时工艺过程中采用紫外激光测厚仪测量刻蚀的厚度以及配合质谱仪监测铝的离子浓度控制工艺进度。 |
