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卷对卷对铜箔等离子体处理方法、装置、计算机设备

基本信息

申请号 CN202110454552.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113316326A 公开（公告）日 2021-08-27
申请公布号 CN113316326A 申请公布日 2021-08-27
分类号 H05K3/38（2006.01）I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 谢安;孙东亚;李月婵;曹春燕;卢向军;杨亮;曹光;周健强 申请（专利权）人 厦门弘信电子科技集团股份有限公司
代理机构 厦门福贝知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 陈远洋
地址 361024福建省厦门市集美区理工路600号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种卷对卷对铜箔等离子体处理方法、装置、计算机设备。其中，所述方法包括：将铜箔片以粘着方式贴附于基板之上，以形成正、背面的铜箔层，和对该铜箔层的正面四周进行封胶保护，和对该经封胶保护后封装在该铜箔层的背面与该基板的正面之间的气体进行抽真空，以及采用卷对卷方式，对该经抽真空后的铜箔层的正面进行等离子体蚀刻。通过上述方式，能够通过该封胶将该背面的铜箔层与正面的基板之间的气体封装起来，便于将该封装的气体抽真空，使得该铜箔层受到的内外压力差趋于零，能够实现减少铜箔层在内外压力差的作用下出现向外膨胀鼓起的情况，提高产品品质。