一种Micro-LED芯片的巨量转移方法
基本信息
| 申请号 | CN202111025739.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471339B | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 申请公布号 | CN113471339B | 申请公布日 | 2021-11-09 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L21/683（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗雪方;陈文娟;罗子杰 | 申请（专利权）人 | 罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226000江苏省南通市经济技术开发区星湖大道1692号21（22）幢14100室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法。在每个Micro‑LED芯片的第一、第二侧面分别形成多个第一、第二辅助部，多个所述第一、第二辅助部均位于外围辅助区域中，并且对每个所述Micro‑LED芯片的功能核心区域的非有源功能面进行刻蚀处理，以形成多个相互分离的第一凹槽，进而可以增大第二暂态基板上的第二粘结层与Micro‑LED芯片的接触面积，进而可以提高Micro‑LED芯片在转移过程中的稳定性，且由于在功能核心区域的外侧形成第一、第二辅助部，而不是完全保留外围辅助区域，则是为了方便转移完成后的去除该第一、第二辅助部。上述转移方法可以确保巨量转移的精度和良率。 |
