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微发光二极管显示器件及其制作方法

基本信息

申请号 CN202111169189.3 申请日 -
公开（公告）号 CN113594198B 公开（公告）日 2021-12-28
申请公布号 CN113594198B 申请公布日 2021-12-28
分类号 H01L27/15（2006.01）I;H01L33/64（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 罗雪方;盛衍;陈文娟;罗子杰 申请（专利权）人 罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 226000江苏省南通市经济技术开发区星湖大道1692号21（22）幢14100室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及微发光二极管显示器件及其制作方法。通过对每个所述微发光二极管单元的四个侧面进行刻蚀处理，以在每个侧面上均形成多个贯穿孔，接着沉积介电材料层以覆盖每个所述微发光二极管单元的侧壁和上表面，且所述介电材料层具有暴露每个所述微发光二极管单元的所述N型半导体层的开口。接着沉积金属材料层以覆盖每个所述微发光二极管单元的侧壁和上表面且填满所述贯穿孔，接着对所述金属材料层进行刻蚀处理，以形成相互间隔设置的电引出结构和热引出结构，所述电引出结构与所述N型半导体层电连接，且所述热引出结构围绕所述电引出结构。