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一种提高AlGaN基紫外LED发光效率的方法

基本信息

申请号 CN201210272418.9 申请日 -
公开（公告）号 CN102856447B 公开（公告）日 2015-10-07
申请公布号 CN102856447B 申请公布日 2015-10-07
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 胡斌;卢细中 申请（专利权）人 浙江优纬光电科技有限公司
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 代理人 浙江优纬光电科技有限公司
地址 322000 浙江省金华市义乌市稠州西路427号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种提高AlGaN基紫外LED发光效率的方法，该方法通过在c面蓝宝石表面沿[10-10]方向刻蚀三棱柱形的图形来提高AlN?Buffer层的晶体质量，通过高温脉冲式原子层外延来提高AlN层的表面形貌。传统的flip?chip?结构的AlGaN基LED采用镀布拉格光栅来提高光的提取率，这种方法不仅受材料的折射率的限制、成本高而且容易磨损和脱落；而本发明采用刻蚀亚波长光栅的方法，不仅设计和工艺简单，而且不容易磨损和脱落，并且有利于散热，从而可以提高器件的发光效率。