一种AlGaN基深紫外LED器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201210472002.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103296170A | 公开（公告）日 | 2013-09-11 |
| 申请公布号 | CN103296170A | 申请公布日 | 2013-09-11 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡斌 | 申请（专利权）人 | 浙江优纬光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 浙江优纬光电科技有限公司 |
| 地址 | 322000 浙江省金华市义乌市稠州西路427号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于光电子技术领域，特别涉及一种AlGaN基深紫外LED器件，衬底是蓝宝石、碳化硅或AlN等，器件外延结构包括AlN本征层、n型AlGaN底层、AlGaN多量子阱有源区、p型层，其中采用纤锌矿氮化硼(WBN)作为p型层材料。还提供了该器件的制造方法。本发明运用BN作为p型层，具有高导电率和对紫外线透明等优点，要优于传统的p型AlGaN层。 |
