一种InGaN基蓝光LED器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210476604.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103022292A | 公开（公告）日 | 2013-04-03 |
| 申请公布号 | CN103022292A | 申请公布日 | 2013-04-03 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡斌;卢细中 | 申请（专利权）人 | 浙江优纬光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 浙江优纬光电科技有限公司 |
| 地址 | 322000 浙江省金华市义乌市稠州西路427号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于光电子技术领域，特别是涉及一种InGaN基蓝光LED器件，其结构自衬底向上依次为：半球状表面的图形化蓝宝石衬底、本征GaN层、n型GaN层、数个周期的InGaN/InGaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层，其中，在n型GaN层上设有负电极，p型GaN层上覆盖有ITO薄膜并设有正电极。本发明通过采用将空洞间隙结构和InGaN/InGaN多量子阱层结合，大大提高了LED的外量子效率。 |
