一种管式PECVD沉积氮化硅叠层减反射膜工艺
基本信息
| 申请号 | CN201810413659.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108695408B | 公开（公告）日 | 2020-05-19 |
| 申请公布号 | CN108695408B | 申请公布日 | 2020-05-19 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/318 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邹臻峰;程亮 | 申请（专利权）人 | 上饶市弘业新能源有限公司 |
| 代理机构 | 南昌恒桥知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江西展宇新能源股份有限公司;江西展宇新能科技有限公司;上饶市弘业新能源有限公司;上饶捷泰新能源科技有限公司 |
| 地址 | 334100 江西省上饶市经济开发区旭日片区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种管式PECVD沉积氮化硅叠层减反射膜工艺。通过改进的管式PECVD沉积氮化硅叠层减反射膜工艺，其既兼顾了双/多层减反射膜与渐变膜的优势，同时又弥补了双/多层减反射膜与渐变膜的不足之处。最终实现镀膜后的硅片少子寿命和太阳能晶硅电池端效率的提高，故而它也适用于单晶/多晶常规与高效PERC电池。本发明相对双以及多层减反膜，具备更低的氮化硅吸光系数，降低了氮化硅薄膜对光的吸收，增加光生载流子；宽带增加，进一步增强了300‑580 nm短波段和800‑1100 nm长波段光谱响应；降低了不同膜层界面的应力分布，提高了膜层抗损伤能力，从而使钝化效果达到最佳。 |
