一种解决铸造晶体硅长晶阴影缺陷的方法
基本信息
| 申请号 | CN201410179617.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103981569A | 公开（公告）日 | 2017-08-18 |
| 申请公布号 | CN103981569A | 申请公布日 | 2017-08-18 |
| 分类号 | C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨晓琴;陈园;柳杉;吴晓宇;殷建安;梅超;张伟;王鹏;黄治国 | 申请（专利权）人 | 上饶市弘业新能源有限公司 |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 | 代理人 | 杨志宇 |
| 地址 | 334100 江西省上饶市经济开发区旭日片区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种解决铸造晶体硅长晶阴影缺陷的方法，其方法步骤如下1.确定长晶阴影缺陷出现的长晶阶段。2.测量长晶速率。3.根据长晶速率调整长晶工艺配方。本技术方法针对性的解决了铸造晶体硅定向凝固长晶过程中出现的长晶阴影缺陷，最终提高了晶体硅太阳能电池片的光电转换效率。 |
