一种高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810164824.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108558405B | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN108558405B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | C04B35/565;C04B35/622 | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 白秋云 | 申请（专利权）人 | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
| 代理机构 | 成都睿道专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 薛波 |
| 地址 | 610200 四川省成都市双流区西航港空港二路1166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法,包括以下步骤：S1、β‑碳化硅和α‑碳化硅混合，其中β‑碳化硅占β‑碳化硅和α‑碳化硅质量之和的1‑15％；S2、将步骤S1所得原料置于球磨机内进行混料24小时，然后将粉末取出，过筛后将粉末置于模具中进行热压烧结。该制备工艺不仅提高了α‑碳化硅粉末烧结致密化程度，同时也避免了传统烧结助剂对材料本身性能的影响。 |
