一种分流式CVD沉积室
基本信息
| 申请号 | CN202020006486.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211713196U | 公开（公告）日 | 2020-10-20 |
| 申请公布号 | CN211713196U | 申请公布日 | 2020-10-20 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 白秋云 | 申请（专利权）人 | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
| 代理机构 | 成都睿道专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 潘育敏 |
| 地址 | 610200四川省成都市双流区西航港空港二路1166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种分流式CVD沉积室，涉及复合材料制备的技术领域，包括沉积筒和进气室，沉积筒内设有隔板，隔板将沉积筒分为上腔室和下腔室；上腔室包括第二固定筒，第二固定筒的底部与隔板之间连接；下腔室包括引流筒和第一固定筒，第一固定筒的另一端与隔板之间留有气体流通的第一通道，引流筒的另一端与下腔室底部之间留有气体流通的第二通道；进气室内设有进气管，沉积筒内设有与进气管连接的输气组件，输气组件包括上排气室、主气室、从气管和引流管，上排气室置于上腔室内，主气室和从气管设于下腔室内，引流管的底部和从气管设于主气室的上部，且均与主气室连通，引流管的顶部还与上排气室连通，上排气室和从气管上均设有排气孔。 |
