一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置
基本信息
申请号 | CN202020029167.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN211717702U | 公开(公告)日 | 2020-10-20 |
申请公布号 | CN211717702U | 申请公布日 | 2020-10-20 |
分类号 | G01L21/00(2006.01)I | 分类 | 测量;测试; |
发明人 | 白秋云 | 申请(专利权)人 | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
代理机构 | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 潘育敏 |
地址 | 610200四川省成都市双流区西航港空港二路1166号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置,设计真空度测量技术领域,包括反应腔室、第一移动机构、第二驱动机构和用于测量反应腔室内真空度的真空测量件;通过第一驱动机构使得真空测量件沿安装轴的轴向运动,即可测量出离沉积反应不同高度处的真空度;通过第二驱动机构使得真空测量件沿垂直于安装轴轴线的方向运动,即可测量出与沉积反应同一高度,不同距离处的真空度。本实用新型具有可测量出不同位置处的真空度,提高控制压力区间的准确度的特点。 |
