一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置

基本信息

申请号 CN202020029167.1 申请日 -
公开(公告)号 CN211717702U 公开(公告)日 2020-10-20
申请公布号 CN211717702U 申请公布日 2020-10-20
分类号 G01L21/00(2006.01)I 分类 测量;测试;
发明人 白秋云 申请(专利权)人 成都超纯应用材料有限责任公司
代理机构 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 代理人 潘育敏
地址 610200四川省成都市双流区西航港空港二路1166号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置,设计真空度测量技术领域,包括反应腔室、第一移动机构、第二驱动机构和用于测量反应腔室内真空度的真空测量件;通过第一驱动机构使得真空测量件沿安装轴的轴向运动,即可测量出离沉积反应不同高度处的真空度;通过第二驱动机构使得真空测量件沿垂直于安装轴轴线的方向运动,即可测量出与沉积反应同一高度,不同距离处的真空度。本实用新型具有可测量出不同位置处的真空度,提高控制压力区间的准确度的特点。