一种CVD碳化硅进气系统
基本信息
| 申请号 | CN202020014529.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211713197U | 公开（公告）日 | 2020-10-20 |
| 申请公布号 | CN211713197U | 申请公布日 | 2020-10-20 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 白秋云 | 申请（专利权）人 | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
| 代理机构 | 成都睿道专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 潘育敏 |
| 地址 | 610200四川省成都市双流区西航港空港二路1166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及CVD碳化硅生产技术领域，尤其是一种CVD碳化硅进气系统，包括反应腔和混气罐，所述混气罐一侧固定连通有三个供气管，所述混气罐另一侧固定连通有进气管，所述反应腔一侧设置有真空泵，所述反应腔上还固定连通有出气管，所述反应腔外侧壁上呈周向均匀地固定连接有若干个固定机构，若干个所述固定机构上固定连接有通气管道，且所述通气管道缠绕在所述反应腔外侧壁上，所述进气管与所述通气管道之间相互连通，所述通气管道内侧呈周向均匀地固定连通有三个进气口，且三个所述进气口均分别与所述反应腔相连通。该CVD碳化硅进气系统通过多孔进气的方式，从而能够有效地解决了工件表面cvd沉积厚度不均匀的问题，实用性强。 |
