一种发光二极管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201310642516.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104681672B | 公开（公告）日 | 2018-02-16 |
| 申请公布号 | CN104681672B | 申请公布日 | 2018-02-16 |
| 分类号 | H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱广敏;郝茂盛 | 申请（专利权）人 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 李仪萍 |
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管的制造方法，包括步骤：1）于生长衬底表面形成发光外延结构；2）于各该发光单元中同时刻蚀出N电极平台及多个孔洞，且多个孔洞位于N电极平台及P电极之间；3）正切形成多个切割沟槽；4）沉积SiO2层，并去除各该孔洞内的SiO2层；5）采用化学腐蚀法于各该孔洞底部腐蚀出多个位错坑，并同时去除各该切割沟槽内的残留物；6）再次形成SiO2层；7）去除部分的SiO2层，保留各该孔洞底部及侧壁、以及位于P电极下方的SiO2层；8）形成电流扩展层；9）制备P电极及N电极。本发明通过在P电极与N电极之间制作多个孔洞，且于孔洞底部形成位错坑，可以减少发光二极管的电流拥堵，提高电流分布均匀性，并提高发光二极管的出光效率。 |
