ITO薄膜的制备方法及采用该ITO薄膜的LED芯片的制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

ITO薄膜的制备方法及采用该ITO薄膜的LED芯片的制作方法

基本信息

申请号	CN201310430140.8	申请日	-
公开（公告）号	CN104465933B	公开（公告）日	2018-03-06
申请公布号	CN104465933B	申请公布日	2018-03-06
分类号	H01L33/42;H01L33/00;C23C14/35	分类	基本电气元件;
发明人	朱秀山;郝茂盛;齐胜利	申请（专利权）人	上海蓝光科技有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	李仪萍
地址	201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种ITO薄膜的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，将所述衬底放置于磁控溅射设备腔体内，并通入氩气，然后利用射频电源使氩气起辉并产生氩等离子体；S2：再施加直流电源，在所述衬底表面形成一ITO保护层；S3：关掉所述射频电源；在所述磁控溅射设备腔体内通入预设流量的辅助气体，在所述ITO保护层上形成至少一层折射率小于所述ITO保护层折射率的ITO薄膜层；所述ITO保护层及其上所有的ITO薄膜层共同形成折射率渐变的ITO薄膜。使用该ITO薄膜的LED芯片中，光在各介质膜层的逸出角较大，既使量子阱发出光能够尽可能多的逸出到ITO膜层，又能使得ITO膜层中的光尽可能的逸出到封装胶外，从而提升了发光二极管的外量子发光效率，提升器件的亮度。