首页/ 上海蓝光科技有限公司/ 专利详情

一种发光二极管的制造方法

基本信息

申请号 CN201310159996.6 申请日 -
公开（公告）号 CN104134728B 公开（公告）日 2018-10-09
申请公布号 CN104134728B 申请公布日 2018-10-09
分类号 H01L33/10;H01L33/22 分类 基本电气元件;
发明人 朱广敏;郝茂盛;齐胜利;陈耀;张楠;杨杰;袁根如;陈诚 申请（专利权）人 上海蓝光科技有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 余明伟
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种发光二极管的制造方法，包括步骤：1）于生长衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）形成N电极制备区域；3）对P型层欲制备P电极的区域的表面制备图案化结构；4）于图案化结构表面形成金属反射镜；5）于金属反射镜表面形成透明绝缘层；6）于P型层及透明绝缘层表面形成电流扩展层；7）制作N电极及P电极。本发明于P电极下方增加金属反射镜/绝缘层结构，在节约电流的同时大大地降低了P电极对光线的吸收，对金属反射镜下方的P型层进行粗化，增加出光概率，同时有益于P电极的牢固性。本发明工艺步骤简单，适用于工业生产。