一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310548758.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104638068B | 公开（公告）日 | 2018-08-24 |
| 申请公布号 | CN104638068B | 申请公布日 | 2018-08-24 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郝茂盛;朱广敏;袁根如;邢志刚;李振毅;齐胜利;刘文弟 | 申请（专利权）人 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海蓝光科技有限公司;上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种用于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）通过光刻工艺将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且露出各该SiO2凸起之间的缓冲层。本发明先制备一层含有六角晶格结构的BN材料层或AlN层或AlxGa1‑xN层，作为发光外延结构生长的缓冲层，然后通过光刻胶的加热回流工艺和ICP刻蚀工艺制备出周期性排列的包状的SiO2凸起，本发明既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高发光二极管的出光效率。本发明工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。 |
