一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310643632.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104681681B | 公开（公告）日 | 2019-01-04 |
| 申请公布号 | CN104681681B | 申请公布日 | 2019-01-04 |
| 分类号 | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郝茂盛;朱广敏;袁根如;邢志刚;李振毅 | 申请（专利权）人 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海蓝光科技有限公司;上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种用于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法，所述制造方法包括步骤：1）于生长衬底中定义出多个图形单元，并于所述多个图形单元间形成V型沟槽；2）于各该图形单元表面形成缓冲层；3）于各该缓冲层表面形成SiO2层；4）于各该SiO2层的中部区域刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，并保留所述缓冲层周侧区域的SiO2周侧层。本发明先采用V型沟槽隔出多个图形单元，然后制备一层含有六角晶格结构的用于发光外延结构生长的缓冲层，并通过刻蚀工艺制备出包状SiO2凸起以及SiO2周侧层，所述包状SiO2凸起既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高出光效率，所述SiO2周侧层能限制发光外延结构在所述V型沟槽附近的垂直生长，提高发光外延结构的晶体质量。 |
