LED器件结构
基本信息
| 申请号 | CN201310654326.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103682022B | 公开（公告）日 | 2018-05-29 |
| 申请公布号 | CN103682022B | 申请公布日 | 2018-05-29 |
| 分类号 | H01L33/38;H01L33/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘亚柱;吕振兴;齐胜利 | 申请（专利权）人 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 李仪萍 |
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种所述LED器件结构，从下至上依次包括：半导体衬底、P型半导体层、发光层和N型半导体材料层，且暴露出部分N型半导体材料层。P型半导体材料层和N型半导体材料层上分别形成有互相分离的P‑电极和N‑电极，P‑电极和N‑电极且均分别包括绝缘层、透明导电层和金属层，所述金属层互相连接的P‑块形金属电极部和P‑线形金属电极部与互相连接的N‑块形金属电极部和N‑线形金属电极部；所述N‑块形金属电极部自所述N‑线形金属电极部起朝所述P‑块形金属电极部的方向延伸，所述N‑电极的绝缘层位于所述N‑线性金属电极部的正下方。本发明通过在所述N‑线性金属电极部的正下方设置绝缘层，增加N型GaN层中电流分布均匀性，进而提高LED器件的亮度。 |
