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一种发光二极管的正面切割工艺

基本信息

申请号 CN201310103699.X 申请日 -
公开（公告）号 CN104078534B 公开（公告）日 2018-07-10
申请公布号 CN104078534B 申请公布日 2018-07-10
分类号 H01L33/00;B23K26/38 分类 基本电气元件;
发明人 杨杰;张楠;袁根如;朱秀山;陈鹏;陈耀 申请（专利权）人 上海蓝光科技有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 余明伟
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种发光二极管的正面切割工艺，包括步骤：1）于半导体衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）定义出多个发光单元，并于各该发光单元间刻蚀出直至所述半导体衬底的多个走道；3）于各该发光单元中形成N电极制备区域；4）于各该发光单元的P型层表面形成透明导电层，于透明导电层表面制备P电极，并于N电极制备区域制备N电极；5）对各该走道进行激光正面切割工艺，于所述半导体衬底中形成与各该发光单元对应的多个切割痕；6）依据各切割痕进行裂片。本发明提供了一种发光二极管的激光正面切割方法，可以有效避免激光对发光二极管的损伤，提高发光二极管的亮度以及良率，工艺简单，适用于工艺生产。