一种发光二极管及其制造方法
基本信息
申请号 | CN201310190128.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN104183677B | 公开(公告)日 | 2018-03-06 |
申请公布号 | CN104183677B | 申请公布日 | 2018-03-06 |
分类号 | H01L33/20 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张楠;陈耀;袁根如;杨杰;郝茂盛 | 申请(专利权)人 | 上海蓝光科技有限公司 |
代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人 | 余明伟 |
地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法,所述发光二极管为由两个等边三角形单元组成的平行四边形芯片,所述平行四边形芯片包括依次层叠的生长衬底、发光外延结构及电流扩展层;所述两个等边三角形单元之间具有从所述电流扩展层至少贯穿至所述生长衬底、并将所述两个等边三角形单元的发光外延结构完全分离的出光走道;所述出光走道两侧的两个等边三角形单元分别形成有N电极制备平台,各该N电极制备平台表面形成有N电极,所述两个等边三角形单元的电流扩展层表面分别形成有P电极。本发明利用等边三角形芯片设计,通过增加芯片的周长,有效地提高了芯片的出光效率。本发明工艺简单,适用于工业生产。 |
