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NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法

基本信息

申请号 CN201210232680.0 申请日 -
公开（公告）号 CN103530242B 公开（公告）日 2016-02-17
申请公布号 CN103530242B 申请公布日 2016-02-17
分类号 G06F12/16(2006.01)I 分类 计算；推算；计数;
发明人 许李纳;华正杰;李会同;杨清祥;杨立军 申请（专利权）人 河南新思维自动化设备有限公司
代理机构 郑州中原专利事务所有限公司 代理人 张春;李想
地址 450001 河南省郑州市高新区科学大道97号
法律状态 -

摘要

摘要 一种NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法，在NandFlash存储器中定义一个交换块，交换块用来备份原块数据；若在NandFlash存储器写操作过程中出现掉电，则重新上电时，对交换块和原块的每个扇区分别进行ECC校验，从而判断原块数据和交换块数据的有效性。本发明实现了：（1）即使掉电，也能保证原块与交换块一定有一份数据正确，保证了下次上电时可恢复的数据来源；（2）原块与交换块的数据正确性判断通过ECC校验结果来判断；（3）只有在一种状况下需要恢复，即原块数据ECC校验错误，且交换块中数据ECC校验正确，其他情况无须进行恢复。