R-T-B系烧结磁体
基本信息
| 申请号 | CN201480017399.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105074837B | 公开（公告）日 | 2018-05-18 |
| 申请公布号 | CN105074837B | 申请公布日 | 2018-05-18 |
| 分类号 | H01F1/08;C22C38/00;H01F1/057;H01F41/02;B22F9/04;C22C33/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 国吉太;石井伦太郎;西内武司;川田常宏 | 申请（专利权）人 | 博迈立铖科环磁材（南通）有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 蒋亭 |
| 地址 | 日本国东京都港区港南一丁目2番70号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HcJ的R‑T‑B系烧结磁体。该R‑T‑B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相，且具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界，其中，R：29.0质量％以上且31.5质量％以下；B：0.86质量％以上且0.90质量％以下；Ga：0.4质量％以上且0.6质量％以下；Al：0.5质量％以下(包含0质量％)；余量由T和不可避免的杂质构成。 |
