R‑T‑B系烧结磁体的制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

R‑T‑B系烧结磁体的制造方法

基本信息

申请号	CN201480046365.6	申请日	-
公开（公告）号	CN105474337B	公开（公告）日	2017-12-08
申请公布号	CN105474337B	申请公布日	2017-12-08
分类号	H01F41/02(2006.01)I;B22F3/00(2006.01)I;B22F3/24(2006.01)I;C21D6/00(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	山方亮一;石井伦太郎;国吉太;佐藤铁兵	申请（专利权）人	博迈立铖科环磁材（南通）有限公司
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	蒋亭
地址	日本国东京都
法律状态	-

摘要

一种磁体的制造方法，包括：磁体的准备工序，其准备如下磁体：用式uRwBxGayCuzAlqM余量T表示，RH为5％以下，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足：50w‑18.5≤v≤50w‑14、‑12.5w+38.75≤v≤‑62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w：50w‑18.5≤v≤50w‑15.5、‑12.5w+39.125≤v≤‑62.5w+86.125，x：‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.5≤x≤‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.8；高温热处理工序，其将磁体加热到730℃以上且1020℃以下后以20℃/分钟以上冷却到300℃；以及加热到440℃以上且550℃以下的低温热处理工序。