R-T-B系烧结磁体及R-T-B系烧结磁体的制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

R-T-B系烧结磁体及R-T-B系烧结磁体的制造方法

基本信息

申请号	CN201480043014.X	申请日	-
公开（公告）号	CN105453195B	公开（公告）日	2018-11-16
申请公布号	CN105453195B	申请公布日	2018-11-16
分类号	H01F1/057;B22F3/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08;H01F41/02	分类	基本电气元件;
发明人	石井伦太郎;国吉太;佐藤铁兵	申请（专利权）人	博迈立铖科环磁材（南通）有限公司
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	蒋亭
地址	日本国东京都
法律状态	-

摘要

提供抑制Dy的含量且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体及其制造方法。一种R－T－B系烧结磁体，其用式uRwBxGayCuzAlqMT表示，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在将氧量(质量％)设为α、将氮量(质量％)设为β、将碳量(质量％)设为γ时，v＝u－(6α+10β+8γ)，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足：50w－18.5≤v≤50w－14、－12.5w+38.75≤v≤－62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w满足：50w－18.5≤v≤50w－15.5、－12.5w+39.125≤v≤－62.5w+86.125，x为－(62.5w+v－81.625)/15+0.5≤x≤－(62.5w+v－81.625)/15+0.8。