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R‑T‑B类烧结磁体的制造方法

基本信息

申请号 CN201610135857.3 申请日 -
公开（公告）号 CN106024364B 公开（公告）日 2017-11-17
申请公布号 CN106024364B 申请公布日 2017-11-17
分类号 H01F41/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 山方亮一;小林浩也;国吉太 申请（专利权）人 博迈立铖科环磁材（南通）有限公司
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人 龙淳;王磊
地址 日本东京都
法律状态 -

摘要

摘要 一种R‑T‑B类烧结磁体的制造方法，其不使剩余磁通密度降低地使重稀土元素RH从R‑T‑B类烧结磁体原料的表面向内部扩散，能够抑制R‑T‑B类烧结磁体的破裂、缺损的发生。本发明的实施方式包括：准备R‑T‑B类烧结磁体原料的工序；准备RH扩散源的工序；在处理室内装入烧结磁体原料、RH扩散源和搅拌辅助部件的工序；和边使烧结磁体原料、RH扩散源和搅拌辅助部件移动，边将烧结磁体原料和RH扩散源加热的RH扩散工序。各烧结磁体原料为1000mm3以上，正交的三个方向的尺寸中最大尺寸为最小尺寸的2倍以上。各RH扩散源为3mm以下。搅拌辅助部件包括多个第一球体和多个第二球体。