首页/ 深圳感圣科技有限公司/ 专利详情

一种基于纳米线交叉互联的纳米线器件制备方法

基本信息

申请号 CN201110144804.5 申请日 -
公开（公告）号 CN102259833B 公开（公告）日 2014-11-05
申请公布号 CN102259833B 申请公布日 2014-11-05
分类号 H01L21/20(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 黄辉;渠波 申请（专利权）人 深圳感圣科技有限公司
代理机构 北京金之桥知识产权代理有限公司 代理人 黄辉;渠波
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号理工大学创新园大厦A328
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种基于纳米线交叉互联的纳米线器件制备方法。本发明的特征是：在半导体衬底的顶层薄层上通过刻蚀形成台面结构，以衬底表面作为基底生长具有“芯-包层”器件结构的纳米线，纳米线的包层与台面侧壁的电连接通过后续生长的纳米线实现；其中后续生长的纳米线，是以台面的侧壁或以“芯-包层”纳米线的侧壁作为生长的基底，侧向生长从而实现纳米线器件的包层与台面侧壁之间的电连接。该方法无需采用精细昂贵的电子束光刻工艺、也无需移动和操控纳米线，具有工艺简单、适合规模化制备的特点。