一种基于桥接生长的纳米线器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610213762.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105845714A | 公开（公告）日 | 2016-08-10 |
| 申请公布号 | CN105845714A | 申请公布日 | 2016-08-10 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄辉;渠波 | 申请（专利权）人 | 深圳感圣科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄辉;渠波;深圳感圣科技有限公司 |
| 地址 | 116024 辽宁省大连市高新区凌工路2号大连理工大学创新园大厦A1226室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种基于桥接生长的纳米线器件及其制备方法。本发明的一种基于桥接生长的纳米线器件，包括设置有凹槽结构的绝缘衬底、导电薄膜和纳米线，导电薄膜设置在凹槽结构的两个侧壁上，一个侧壁上的导电薄膜作为纳米线器件的源电极，另一个侧壁上的导电薄膜作为纳米线器件的漏电极，源电极与漏电极通过纳米线连接。其有益效果是：本发明的纳米线器件具有工艺简单、电接触性能良好的特点；在纳米线生长过程中即可完成纳米线器件的制备，省略了传统的纳米线剥离、转移和排列等步骤，消除了纳米线表面的污染和损伤，并改善了金属电极与纳米线之间的电接触特性。 |
