一种基于纳米线交叉互联的纳米线器件制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110144804.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102259833A | 公开（公告）日 | 2011-11-30 |
| 申请公布号 | CN102259833A | 申请公布日 | 2011-11-30 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 超微技术〔7〕; |
| 发明人 | 黄辉;渠波 | 申请（专利权）人 | 深圳感圣科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号理工大学创新园大厦A328 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种基于纳米线交叉互联的纳米线器件制备方法，本发明的特征是：在半导体衬底上通过刻蚀形成台面结构，以台面底部作为基底生长具有“芯-包层”器件结构的纳米线，纳米线的包层与台面侧壁的电连接通过后续生长的纳米线实现；其中后续生长的纳米线，是以台面的侧壁或以“芯-包层”纳米线的侧壁作为生长的基底，侧向生长从而实现纳米线器件的包层与台面侧壁之间的电连接。该方法无需采用精细昂贵的电子束光刻工艺、也无需移动和操控纳米线，具有工艺简单、适合规模化制备的特点。 |
