一种半导体材料的化学气相沉积装置及其方法
基本信息
| 申请号 | CN201510169557.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106148913B | 公开（公告）日 | 2018-10-23 |
| 申请公布号 | CN106148913B | 申请公布日 | 2018-10-23 |
| 分类号 | C23C16/44;C23C16/34 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 占婷婷;黄辉;渠波;赵丹娜;宗杨;吕瑞 | 申请（专利权）人 | 深圳感圣科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄辉;渠波;赵丹娜;深圳感圣科技有限公司 |
| 地址 | 116024 辽宁省大连市高新区凌工路2号大连理工大学创新园大厦A1226室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体材料的化学气相沉积装置及其半导体材料的生长方法。一种半导体材料的化学气相沉积装置，包括反应室、设置在反应室中的衬底和加热器、传输管路，所述加热器用于加热所述衬底，所述传输管路连接反应室，其特征在于：所述传输管路中设置有离化装置。其有益效果是：通过在气体传输管路中加入离化装置，使得气态源在传输管路中被离化，从而降低生长温度、提高气态源的裂解效率，并具有装置简单、安全、低成本的优势。 |
