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一种高性能SRAM数据读出电路

基本信息

申请号	CN202011615515.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112687311A	公开（公告）日	2021-04-20
申请公布号	CN112687311A	申请公布日	2021-04-20
分类号	G11C11/419(2006.01)I;G11C11/412(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I	分类	信息存储;
发明人	李晓敏;唐小青;王强	申请（专利权）人	南京低功耗芯片技术研究院有限公司
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	柏尚春
地址	210000江苏省南京市浦口区星火路17号创智大厦B座7楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种高性能SRAM数据读出电路，包含未知锁存数据的存储阵列，已知锁存数据的存储单元和不对称灵敏放大器。当存储阵列中锁存的数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据不同时，两根位线同时放电，其电压差很小，利用不对称灵敏放大器的失调电压读出数据；当存储阵列中锁存的数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据相同时，一根位线维持高电平不变，另外一根位线在两个存储单元的作用下加速放电，两根位线的电压差迅速达到并超过灵敏放大器的失调电压，灵敏放大器可准确读出数据。第一种情况下字线打开即可进行检测，第二种情况下位线在两个存储单元的作用下加速放电，位线电压差快速达到灵敏放大器可检测出来的数值。本发明可改善SRAM读出性能，减少读延时。