一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路
基本信息
| 申请号 | CN202011608334.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112634958A | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN112634958A | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | G11C11/417 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 李晓敏;唐小青;王强 | 申请（专利权）人 | 南京低功耗芯片技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 柏尚春 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市浦口区星火路17号创智大厦B座7楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路，包含PVT追踪模块和阵列刷新模块；PVT追踪模块，用于追踪温度变化和全局工艺偏差，输出一个参考电压值；阵列刷新模块，用于根据PVT追踪电路的输出参考电压值，动态调节SRAM存储阵列的供电电压。本发明用一串连接的MOS管对电源电压进行分压，以多个分压点处的电压值作为参考值，给数据保持的复制单元进行供电，从而追踪不同PVT条件下合适的翻转点电压；同时，阵列采用交替的供电方式，使其在睡眠状态下能够在极低保持电压下尽心数据保持，从而带来更低的阵列漏电。 |
