一种射频半导体器件结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010947697.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114171501A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114171501A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L23/552（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I;H01L21/84（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄河;向阳辉 | 申请（专利权）人 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 代理机构 | 北京思创大成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高爽 |
| 地址 | 201210上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种射频半导体器件结构及其制造方法，其中，射频半导体器件结构包括：基板，所述基板的第一表面为半导体层；第一射频元件，位于所述半导体层；介质层，位于所述半导体层上、覆盖所述第一射频元件；第一微波吸收层，设置于所述第一射频元件的上方；和/或，第二微波吸收层，设置于所述第一射频元件的下方；和/或，第三微波吸收层，设置于相邻所述第一射频元件之间。本发明的第一微波吸收层、第二微波吸收层和第三微波吸收层能够吸收射频器件产生的电磁波，进而减少射频器件之间或射频器件与半导体衬底之间的电磁耦合。 |
