晶圆级封装方法以及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202010673274.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113937019A | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申请公布号 | CN113937019A | 申请公布日 | 2022-01-14 |
| 分类号 | H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄河;刘孟彬;向阳辉 | 申请（专利权）人 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高静 |
| 地址 | 201210上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种晶圆级封装方法以及封装结构，方法包括：提供形成有多个第一芯片的第一器件晶圆，第一芯片包括相对的第一表面和第二表面，第一表面具有第一互连电极和外接电极；提供多个第二芯片，第二芯片的表面具有第二互连电极；利用键合层将第二芯片键合于第一表面上，第二互连电极和第一互连电极上下相对，围成空腔，且第二芯片露出外接电极；在键合后，形成填充于空腔中的电镀互连结构、以及凸出于外接电极表面的电镀互连凸块。本发明在实现晶圆级封装的同时，提高封装效率和封装可靠性、降低封装成本。 |
